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SIES-Q5B-NO-K-L费斯托FESTO光电式传感器热卖
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SIES-Q5B-NO-K-L费斯托FESTO光电式传感器热卖详细介绍

费斯托FESTO光电式传感器热卖,费斯托光电式传感器介绍:
FESTO光电式传感器的制造工艺也随薄膜工艺、平面工艺和大规模集成电路技术的发展而达到很高的水平,并使产品的成本大为降低。被称为新一代摄像器件的聚焦平面集成光敏阵列正在取代传统的扫描摄像系统。光电式传感器的发展方向是采用有机化学汽相沉积、分子束外延、单分子膜生长等新技术和异质结等新工艺。光电式传感器的应用领域已扩大到纺织、造纸、印刷、医疗、环境保护等领域。在红外探测、辐射测量、光纤通信,自动控制等传统应用领域的研究也有新发展。例如,硅光电二极管自校准技术的提出为光辐射的绝对测量提供了一种很有前途的新方法。
FESTO光电效应又分为光电导效应和光生伏打效应两类。光电导效应是指,半导体材料在光照下禁带中的电子受到能量不低于禁带宽度的光子的激发而跃迁到导带,从而增加电导率的现象。能量对应于禁带宽度的光子的波长称光电导效应的临界波长。光生伏打效应是指光线作用能使半导体材料产生一定方向电动势的现象。光生伏打效应又可分为势垒效应(结光电效应)和侧向光电效应。势垒效应的机理是在金属和半导体的接触区(或在PN结)中,电子受光子的激发脱离势垒(或禁带)的束缚而产生电子空穴对,在阻挡层内电场的作用下电子移向 N区外侧,空穴移向 P区外侧,形成光生电动势。侧向光电效应是当光电器件敏感面受光照不均匀时,受光激发而产生的电子空穴对的浓度也不均匀,电子向未被照射部分扩散,引起光照部分带正电、未被光照部分带负电的一种现象。 分类 基于外光电效应的光电敏感器件有光电管和光电倍增管。
费斯托FESTO光电式传感器热卖,询价方式:
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174548 电感式传感器 SIES-Q5B-NO-K-L
174549 电感式传感器 SIES-Q5B-PO-K-L
174550 电感式传感器 SIES-Q8B-NO-K-L
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SOEG-RTH-M18W-PS-K-2L  漫反射光传感器 537688     
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SOEL-RTD-Q50-PP-S-7L  距离传感器 537823     
SOEL-RTD-Q50-PU-S-2L-20  距离传感器 549315     
SOEL-RTD-Q50-PU-S-2L-40  距离传感器 549316     
SOEL-RTH-Q20-NP-K-2L-TI  漫反射光传感器 537730     
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